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选择题突破12 晶体结构及相关计算
A卷
1.(2024·湖南邵阳一模)某富锂超离子导体的晶胞是立方体(图1)。进行镁离子取代及卤素共掺杂后,可获得高性能固体电解质材料(图2)。下列说法正确的是( )
A.基态溴原子的核外电子排布式为[Ar]4s24p5
B.图1晶体中O周围最近的Cl数目为4
C.图1晶体的化学式为Li2ClO
D.图2表示的化学式为LiMgOClxBr1-x
答案 D
解析 A.溴原子核外有35个电子,则Br原子基态原子核外排布式为[Ar]3d104s24p5,错误;B.由图可知,图1中与O原子距离最近且相等的Cl原子的个数为8,错误;C.据均摊法可知,图1晶体含有Li:8×+1=3,Cl:4×=1,O:2×=1,则该晶体的化学式为Li3ClO,错误;D.由图可知,晶胞中含有Cl或Br:4×=1,含有O:2×=1,含有Li:1,含有Mg或空位:8×=2,结合化合价代数和为0可知含有1个Mg,所以晶胞的化学式可以为LiMgOClxBr1-x,正确。
2.(2024·湖南邵阳二模)采用氮化镓元件的充电器体积小、质量轻,在发热量、效率转换上相比普通充电器也有更大的优势,被称为“快充黑科技”,下图是氮化镓的一种晶体结构(NA表示阿伏加德罗常数的值)。下列有关说法错误的是( )
A.晶体结构中Ga原子的配位数为8
B.一个该晶胞结构中含有4个Ga、4个N
C.Ga元素位于元素周期表中第四周期第ⅢA族
D.晶体结构中若Ga和N的距离为x nm,则晶体的密度为×1021 g·cm-3
答案 A
解析 A.以晶胞上边平面中心的Ga原子为研究对象,可知:在该晶胞中Ga与2个N原子距离相等且最近,在通过该平面上边还存在1个晶胞,其中Ga与2个N原子距离相等且最近,故Ga原子的配位数是4,错误;B.用均摊方法计算,在一个晶胞中含有Ga原子数目是8×+6×=4;含有的N原子数目是4,故一个该晶胞结构中含有4个Ga、4个N,正确;C.Ga与Al处于同一主族,位于Al的下一周期,故Ga元素位于元素周期表中第四周期第ⅢA 族,正确;D.根据选项B分析可知:在一个该晶胞结构中含有4个Ga、4个N,结合晶体结构中若Ga和N的距离为x nm,二者的距离为晶胞体对角线的,假设晶胞边长为L,则 L=x,L=,故该晶胞的密度ρ== g·cm-3=×1021 g·cm-3,正确。