【精品练习】2026年高考化学二轮复习《大题分类强化》综合题突破1物质结构与性质综合题word版含答案

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综合题突破1　物质结构与性质综合题

1.(2024·河北石家庄二模)新型半导体材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等在国防技术、航空航天及5G技术等领域扮演着重要的角色。回答下列问题:

(1)基态Si原子中,核外电子占据的最高能层的符号为　　　　　　,占据最高能级的电子的电子云轮廓图形状为　　　　　　;基态Ga原子的核外电子排布为[Ar]3d104s24p1,其转化为下列激发态时,吸收能量最少的是　　　　(填选项字母)。 

(2)C与Si是同主族元素,C原子之间可以形成双键、三键,但Si原子之间难以形成双键、三键。从原子结构分析,其原因为　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　。 

(3)硼(B)与Ga是同主族元素,硼氢化钠(NaBH4)是有机合成中重要的还原剂,其阴离子B的立体构型为　　　　　　;另一种含硼阴离子的结构如图所示,其中B原子的杂化方式为　　　　　　。 

(4)GaCl3的熔点为77.9 ℃,GaF3的熔点为1 000 ℃,试分析GaCl3熔点低于GaF3的原因　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　; 

气态GaCl3常以二聚体形式存在,二聚体中各原子均满足8e-结构,据此写出二聚体的结构式为　　　　　　。 

(5)B和Mg形成的化合物刷新了金属化合物超导温度的最高记录。该化合物的晶体结构单元如图所示,其中Mg原子间形成正六棱柱,6个B原子分别位于六个三棱柱体心。则该化合物的化学式可表示为　　　　　　;相邻B原子与Mg原子间的最短距离为　　　　　　 nm(用含x、y的代数式表示)。 

答案　(1)M　哑铃(纺锤)形　B　(2)Si原子半径大,原子之间形成的σ键键长较长,p-p轨道肩并肩重叠程度小或几乎不重叠,难以形成π键　(3)正四面体形　sp2和sp3　(4)GaCl3为分子晶体,熔化时破坏分子间作用力,GaF3为离子晶体,熔化时破坏离子键,离子键强于分子间作用力,所以GaCl3的熔点低于GaF3　　(5)MgB2